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Electronic Chemicals

안산 본사 및 제1,2공장 그리고 진천 3공장에는
디스플레이 분야의 전자급 시약을
자체 생산, 납품 할 수 있는 경험과 시설을 갖추고 있으며,
현재 약40여 종의 품목을 생산하고 있습니다.

1. Electronic Fine Chemicals

품명 분자식 등급 용도 / 설명
과수 H2O2 EL 암모니아수 및 초순수 등과 혼합되어 표면의 오염물질 제거용 세정제로 사용됩니다.
또한, 황산 등과 혼합되어 유기물의 세정제로 사용됩니다.
황산 H2SO2 EL 과수 등과 혼합하여 유기물 세정용으로 사용됩니다.
암모니아수 NH2OH EL 과수 및 초순수 등과 혼합하여 표면의 오염물질을 제거용 세정제로 사용됩니다.
IPA (CH3)2CHOH ELH 표면의 유기물 세정 또는 수분제거에 사용됩니다.
또한 배선의 부식을 방지하는 온충용액으로 사용되기도 한다.
질산 HNO3 EL 장비의 세정용으로 사용됩니다. 또한 타Acid와 혼합하여 식각액으로 사용됩니다.
염산 HCl EL RCA처리 후 금속이온 등의 제거용 세정제의 일부로 사용됩니다.
초산 CH3COOH EL CH3COOH 표면 세정 및 타Acid와 혼합하여 세정공정 등에서
Uniformity를 향상시키는 완충용액으로 사용됩니다.
인산 H3PO2 EL Silicon Nitride의 식각액 또는 기타 식각액의 일부로 사용됩니다.
불산 HF EL Silicon Oxide의 식각액으로 사용됩니다.
아세톤 CH3COCH3 ELH 표면의 유기물 제거 및 장비의 세척용으로 사용됩니다.
메탄올 CH3OH EL 표면의 유기물 제거 및 장비의 세척용으로 사용됩니다.
에탄올 C2H2OH EL 장비 세척용으로 사용됩니다.
식각액 - - 각 공정에 적합한 식각액으로, 사용자별/공정별로 그 성분에 차이가 있습니다.
CMP용 Slurry 및 첨가제 - - STI공정 및 Cu공정용 CMP Sulrry 및 그 첨가제

2. Electronic Material Process Chemicals

Our Line-up with Main field

Field for Items
LCD PR Stripper
Pod Stripper
Chemical Recycle Tech.
FED Molybdenum Etchant ( Mo / Dielectric )
Aluminum Etchant ( Al / Mo, Mo / Al / Mo )
PDP Simultaneous Dielectric Layer & Rib Barrier Remover
OLED & Display film ITO Etchant
Aluminum Etchant
Solar cell Ag Powder [ under 3μm & 500 nano ]
Ni Powder
Cu / Ag powder ( Ag electrode substitute )
Al Paste
Process Chemical ( IPA, HF, KOH, HCI, HNO3, etc. )
ETC. Methyl 3 - Methoxypropionate synthesized
Terrestrial magnetism sensor Etchant
Gold Etchant
Titanium Etchant
Buffered Oxide Etchant
PR ink remover
Glass cleaner
Volumetric Karl - Fischer Reagent
Dilution products
Various Single or Simultaneous Etchant

Product List

Wet - Etching Solution

Etching for Properties
Molybdenum
/ Dielectric
Molybdenum / Dielectric

  • Mo Etching

    - Thickness : 750 ~ 800 nm

    - Etch. Rate : 40 nm/sec

    - CD Loss : < 1μm (both)

    - No under cut

  • Dielectric Layer etching

    - Thickness : 17 ~ 18μm

    - Etch. Rate : 0.08 ~ 1.0 μm/sec
Aluminium
/ Molybdenum
Aluminium / Molybdenum

  • Al / Mo layer

    - Etch. time : 60 sec ( Just etch. : 50 sec )

    - Taper : under 60 degree

  • Mo layer

    - Etch. time : 27 sec ( Just etch. : 17 sec )

    - Taper : under 90 degree

    - Improved CD loss uniformity
    than other convention chemicals
Gold
/ Titanium
on PMMA
Gold / Titanium on PMMA

  • Au/ Etching

    - Thickness : 500 ~ 700 nm

    - Etch. Rate : 16 ~ 20 nm/sec

  • Ti etching

    - Thickness : 500 ~ 700 nm

    - Etch. Rate : 25 ~ 30 nm/sec
Indium
Tin Oxide
Indium Tin Oxide
ITEMS. 40℃ 45℃ 50℃ 60℃
FeCl3 BASE 780 1,140 2,100 -
HCl + HNO3 600 780 1,200 -
Oxalic type 12.5 18.8 25.0 50.0
675 780 1,335 -
( Unit : A / min )
Chromium
Chromium

  • Physicalproperties

    - Solubility in water : Complete

    - Appearance : Orange liquid

    - Odor : Chlorine Odor

    - Specific Gravity : 1.05 - 1.25

PR - Stripper / Cleaner

Treatment for Properties
Organic
Stripper
Organic Stripper

  • Photoresist ( Positive )

    - Posi.-PR model : ZPP - 1900U3

    - Soft baking : 110℃, 170 sec

    - Thickness of Photoresist : 1.5um

  • Strip. Condition

    - Temp. : 70℃

    - Strip. time : 2 min 40 sec
Glass
Cleaner
Glass Cleaner

  • Low Contact Angle

    - C.A : under 10 degree

  • Test Condition

    - Temp. : R.T

    - Ultra Sonicc Time : 90 sec

  • High Elimination Abillity

    - Organic Residues remove

    - No Residuess in Water

  • Applications Area

    - FPD Business Glass Cleaner ( TFT - LCD, OLED, FED, PDP )

    - Surface Cleaning
Rib barrier
& Dielectro
Layer Remover
Rib barrier & Dielectro Layer Remover

  • Chemical Condition

    Room temperature

    Normal pressure

    Non - dangerous

  • This Series could remove Pre-calciination
    Rib barrier & Dielectronic Layer. It could be
    recycled defective product of spread on glass.
    Especially, It does not give any damage to electo line on glass.
    Further more, glass cleaning effect can be obtained.
    * Patent No. 10-0864091
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